烜芯微是國(guó)內(nèi)專業(yè)生產(chǎn)二三極管的生產(chǎn)廠家,先進(jìn)的生產(chǎn)設(shè)備以及專業(yè)的工程師，可以很好的幫助客戶朋友穩(wěn)定好品質(zhì)，全自動(dòng)化一貫機(jī)，加快了生產(chǎn)速度，以及成本的下降，實(shí)現(xiàn)了品質(zhì)，供貨速度與價(jià)格的優(yōu)勢(shì)
一、肖特基二極管介紹：
SBD是肖特基勢(shì)壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫(xiě)成SBD）的簡(jiǎn)稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬－半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導(dǎo)體（接觸）二極管或表面勢(shì)壘二極管，它是一種熱載流子二極管。
二、肖特基二極管作用：
肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢(shì)壘二極管（簡(jiǎn)稱 SBD），它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。最顯著的特點(diǎn)為反向恢復(fù)時(shí)間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航祪H0.4V左右。其多用作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護(hù)二極管，也有用在微波通信等電路中作整流二極管、小信號(hào)檢波二極管使用。在通信電源、變頻器等中比較常見(jiàn)。
一個(gè)典型的應(yīng)用，是在雙極型晶體管 BJT 的開(kāi)關(guān)電路里面，通過(guò)在 BJT 上連接 Shockley 二極管來(lái)箝位，使得晶體管在導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)其實(shí)處于很接近截止?fàn)顟B(tài)，從而提高晶體管的開(kāi)關(guān)速度。這種方法是 74LS，74ALS，74AS 等典型數(shù)字 IC 的 TTL內(nèi)部電路中使用的技術(shù)。
肖特基（Schottky）二極管的最大特點(diǎn)是正向壓降 VF 比較小。在同樣電流的情況下，它的正向壓降要小許多。另外它的恢復(fù)時(shí)間短。
三、肖特基二極管的特點(diǎn)：
1）由于肖特基勢(shì)壘高度低于PN結(jié)勢(shì)壘高度，故其正向?qū)ㄩT(mén)限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低（約低0.2V）。
2）由于SBD是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件，不存在少數(shù)載流子壽命和反向恢復(fù)問(wèn)題。SBD的反向恢復(fù)時(shí)間只是肖特基勢(shì)壘電容的充、放電時(shí)間，完全不同于PN結(jié)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間。由于SBD的反向恢復(fù)電荷非常少，故開(kāi)關(guān)速度非?？欤_(kāi)關(guān)損耗也特別小，尤其適合于高頻應(yīng)用。
3）它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。最顯著的特點(diǎn)為反向恢復(fù)時(shí)間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航祪H0.4V左右。肖特基（Schottky）二極管的最大特點(diǎn)是正向壓降 VF 比較小。在同樣電流的情況下，它的正向壓降要小許多。另外它的恢復(fù)時(shí)間短。它也有一些缺點(diǎn)：耐壓比較低，漏電流較大。其多用作高頻、低壓、大電流整流二極管（比如開(kāi)關(guān)電源次極整流二極管），續(xù)流二極管、保護(hù)二極管，也有用在微波通信等電路中作整流二極管、小信號(hào)檢波二極管使用。在通信電源、變頻器等中比較常見(jiàn)。
四、肖特基二極管應(yīng)用：
它是一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、變頻器、驅(qū)動(dòng)器等電路，作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護(hù)二極管使用，或在微波通信等電路中作整流二極管、小信號(hào)檢波二極管使用。
五、肖特基二極管工作原理：
肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢(shì)壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。因?yàn)镹型半導(dǎo)體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有極少量的自由電子，所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中擴(kuò)散。顯然，金屬A中沒(méi)有空穴，也就不存在空穴自A向B的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。隨著電子不斷從B擴(kuò)散到A，B表面電子濃度逐漸降低，表面電中性被破壞，于是就形成勢(shì)壘，其電場(chǎng)方向?yàn)锽→A。但在該電場(chǎng)作用之下，A中的電子也會(huì)產(chǎn)生從A→B的漂移運(yùn)動(dòng)，從而消弱了由于擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)而形成的電場(chǎng)。當(dāng)建立起一定寬度的空間電荷區(qū)后，電場(chǎng)引起的電子漂移運(yùn)動(dòng)和濃度不同引起的電子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)達(dá)到相對(duì)的平衡，便形成了肖特基勢(shì)壘。
六、肖特基二極管的封裝：
肖特基二極管分為有引線和表面安裝（貼片式）兩種封裝形式。 采用有引線式封裝的肖特基二極管通常作為高頻大電流整流二極管、續(xù)流二極管或保護(hù)二極管使用。它有單管式和對(duì)管（雙二極管）式兩種封裝形式。肖特基對(duì)管又有共陰（兩管的負(fù)極相連）、共陽(yáng)（兩管的正極相連）和串聯(lián)（一只二極管的正極接另一只二極管的負(fù)極）三種管腳引出方式。
采用表面封裝的肖特基二極管有單管型、雙管型和三管型等多種封裝形式，有A~19種管腳引出方式。
七、肖特基二極管的特點(diǎn)：
1. 肖特基二極管的正向壓降比快恢復(fù)二極管正向壓降低很多，所以自身功耗較小，效率高。
2.由于反向電荷恢復(fù)時(shí)間極短，所以適宜工作在高頻狀態(tài)下。
3.能耐受高浪涌電流。
4.以前的肖特基管反向耐壓一般在200V以下，但現(xiàn)在最新技術(shù)可以做到高達(dá)1000V的產(chǎn)品，市場(chǎng)應(yīng)用前景十分廣闊。
八、肖特基二極管的參數(shù)
1、導(dǎo)通壓降VF
VF為二極管正向?qū)〞r(shí)二極管兩端的壓降，當(dāng)通過(guò)二極管的電流越大，VF越大;當(dāng)二極管溫度越高時(shí)，VF越小。
2、反向飽和漏電流IR
IR指在二極管兩端加入反向電壓時(shí)，流過(guò)二極管的電流，肖特基二極管反向漏電流較大，選擇肖特基二極管是盡量選擇IR較小的二極管。
3、額定電流IF
指二極管長(zhǎng)期運(yùn)行時(shí)，根據(jù)允許溫升折算出來(lái)的平均電流值。
4. 最大浪涌電流IFSM
允許流過(guò)的過(guò)量的正向電流。它不是正常電流，而是瞬間電流，這個(gè)值相當(dāng)大。
5.最大反向峰值電壓VRM
即使沒(méi)有反向電流，只要不斷地提高反向電壓，遲早會(huì)使二極管損壞。這種能加上的反向電壓，不是瞬時(shí)電壓，而是反復(fù)加上的正反向電壓。因給整流器加的是交流電壓，它的最大值是規(guī)定的重要因子。最大反向峰值電壓VRM指為避免擊穿所能加的最大反向電壓。目前肖特基最高的VRM值為150V。
6. 最大直流反向電壓VR
上述最大反向峰值電壓是反復(fù)加上的峰值電壓，VR是連續(xù)加直流電壓時(shí)的值。用于直流電路，最大直流反向電壓對(duì)于確定允許值和上限值是很重要的。
7.最高工作頻率fM
由于PN結(jié)的結(jié)電容存在，當(dāng)工作頻率超過(guò)某一值時(shí)，它的單向?qū)щ娦詫⒆儾?。肖特基二極管的fM值較高，最大可達(dá)100GHz。
8.反向恢復(fù)時(shí)間Trr
當(dāng)工作電壓從正向電壓變成反向電壓時(shí)，二極管工作的理想情況是電流能瞬時(shí)截止。實(shí)際上，一般要延遲一點(diǎn)點(diǎn)時(shí)間。決定電流截止延時(shí)的量，就是反向恢復(fù)時(shí)間。雖然它直接影響二極管的開(kāi)關(guān)速度，但不一定說(shuō)這個(gè)值小就好。也即當(dāng)二極管由導(dǎo)通突然反向時(shí)，反向電流由很大衰減到接近IR時(shí)所需要的時(shí)間。大功率開(kāi)關(guān)管工作在高頻開(kāi)關(guān)狀態(tài)時(shí)，此項(xiàng)指標(biāo)至為重要。
9. 最大耗散功率P
二極管中有電流流過(guò)，就會(huì)吸熱，而使自身溫度升高。在實(shí)際中外部散熱狀況對(duì)P也是影響很大。具體講就是加在二極管兩端的電壓乘以流過(guò)的電流加上反向恢復(fù)損耗
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